ИК-СПЕКТРОСКОПИЯ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ОЛОВОМ И МАРГАНЦЕМ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B., Ergashev R.M., Matchonov K.J. |
Rus |
595 |
|
РОЛЬ ТЕРМООБРАБОТКИ В ФОРМИРОВАНИИ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ КОБАЛЬТА
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B., Fayzullaev K.M. |
Rus |
438 |
|
ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСЯМИ Т-ИОНОВ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Utamuradova S.B., Uteniyazova A.., Fayzullaev Q.., Naurzalieva E.. |
O'zbek |
426 |
328 |
ВЛИЯНИЕ БОЛЬШИХ ДОЗ ОБЛУЧЕНИЯ НА ПОВЕДЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ ПЕРЕХОДНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ В КРЕМНИИ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Utamuradova S.B., Uteniyazova A.., Olimbekov Z.., Rakhmanov D.. |
O'zbek |
412 |
317 |
ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ЯЧЕЙКИ С ФОТОЭЛЕКТРОДАМИ НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ И КРЕМНИЯ С ПЛАЗМЕННЫМИ КОНТАКТАМИ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Daliev K.S., Utamuradova S.B., Khaidarov Z.. |
Rus |
490 |
385 |
ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОБРАБОТОК НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ ЛЕГИРОВАННОМ ПЛАТИНОЙ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B., Fayzullaev K.., Olibekov Z.O., Khamdamov J.J. |
Rus |
425 |
|
STUDY OF THE ROLE OF THE TECHNOLOGICAL IMPURITIES STATES IN THE FORMATION OF A DEFECTIVE STRUCTURE OF Si DOPED WITH TRANSITION ELEMENTS
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B., Naurzalieva E.. |
Ingliz |
430 |
|
ВЛИЯНИЕ ДОЗЫ - ОБЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЗМ ПЕРЕНОСА ТОКА ФОТОПРИЕМНИКОВ С ПДП СТРУКТУРОЙ pCdTe-TeO2-n SnO2
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B., Muzafarova S.A. |
Rus |
451 |
|
О ВЗАИМОДЕЙСТВИИ ПРИМЕСЕЙ МАРГАНЦА И ЦИНКА В КРЕМНИИ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B. |
Rus |
386 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРОЦЕССОВ ВОЛЬТ - ЁМКОСТНЫМ МЕТОДОМ В ОБЛУЧЕННЫХ СТРУКТУРАХ pCdTe- TeO 2 -n SnO 2 у - КВАНТАМИ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Utamuradova S.B. |
Rus |
282 |
|