ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕСВОЙСТВАМНОГОСЛОЙНЫХФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХСТРУКТУРСБАРЬЕРАМИМЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Giyasova F.A., Karimov A.V., Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A., Kuliev S.M., Shertoev J.K. |
Rus |
564 |
|
ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ОБЕДНЕННОЙ БАЗОВОЙ ОБЛАСТЬЮ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Yodgorova D.M., Abdulkhaev O.A., Khakimov A.A., Bebitov R.R., Rakhmatov A.Z. |
Rus |
509 |
|
О МЕХАНИЗМЕ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ МНОГОБАРЬЕРНОЙ ФОТОДИОДНОЙ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Giyasova F.A., Karimov A.V., Abdulkhaev O.A., Khakimov A.A., Yakubov A.A. |
Rus |
522 |
|
ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ДИОДНОГО ТЕРМОДАТЧИКА С ОБЕДНЕННОЙ БАЗОВОЙ ОБЛАСТЬЮ
«Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы»
|
Abdulkhaev O.A., Bebitov R.R., Rakhmatov A.Z., Juraboyev T.E. |
Rus |
364 |
266 |
THREE-BARRIER Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag PHOTODIODE STRUCTURES
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Karimov A.V., Abdulkhaev O.A., Khakimov A.A., Yakubov A.A. |
Ingliz |
471 |
|
НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОПЕРЕХОДНОЙ Au- GaAs:O-nCdS-nInP-Au-СТРУКТУРЫ
Физика полупроводников и микроэлектроника
|
Giyasova F.A., Karimov A.V., Abdulkhaev O.A., Yodgorova D.M. |
Rus |
466 |
|