Заглавие | CoAuthors | Язык статьи | Просмотры | Чтения |
---|---|---|---|---|
ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ, ЛЕГИРОВАННОГО ПРИМЕСЯМИ Т-ИОНОВ «Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы» |
Utamuradova S.B., Uteniyazova A.., Fayzullaev Q.., Naurzalieva E.. |
O'zbek | 453 | 355 |
STUDY OF THE ROLE OF THE TECHNOLOGICAL IMPURITIES STATES IN THE FORMATION OF A DEFECTIVE STRUCTURE OF Si DOPED WITH TRANSITION ELEMENTS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Utamuradova S.B., Naurzalieva E.. |
Ingliz | 506 |