name

Glukhov N S

  • Science ID:
  • Research ID:
  • ORCID:
  • Phone number
  • ОфисMoscowEngineeering Physics Institute
  • Профессия
  • Количество просмотров200
Биография

Общее количество публикаций 2
Цитаты 2
Индекс хирша 0

Статьи

Заглавие CoAuthors Язык статьи Просмотры Чтения
СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РАДИАЦИОННОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ПАРАМЕТРОВ ОПЕРАЦИОННОГО УСИЛИТЕЛЯ LM358 «Современные тенденции развития физики полупроводников: достижения, проблемы и перспективы» Glukhov N.S.,
Felitsyn V.A.,
Metel Y.V.,
Mateyko A.A. 		Rus 130 45
CIRCUIT SIMULATION OF RADIATION-SENSITIVE PARAMETERS OF THE OPERATIONAL AMPLIFIER LM358 Физика полупроводников и микроэлектроника Glukhov N.S. O'zbek 70