Заглавие | CoAuthors | Язык статьи | Просмотры | Чтения |
---|---|---|---|---|
SIMULATION OF PARAMETERS OF nGe- pSi1-XGeX DIODE STRUCTURES ON TCAD SENTAURUS ZFTTDMIEJ |
Saidov S.., Asatova U.P., Ismailov ShK S.K., Usmonov S. . |
Ingliz | 535 | 510 |
ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Saidov A.S., Asatova .P., Usmonov S. ., Leyderman A.Y. |
Rus | 433 |