294

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 294
  • Web Address
  • DOIdoi.org/10.47100/conference_physics/S2_3
  • Date of creation in the UzSCI system 14-08-2020
  • Read count 182
  • Date of publication
  • Main LanguageO'zbek
  • Pages26-30
Tags
Русский

Изучено поведение атомов гадолиния в кремнии и установлено, что диффузионное легирование n-Si гадолинием приводит к резкому увеличению величины удельного сопротивления. Это свидетельствует о том, что гадолиний вводит акцепторные центры в кремнии. Обнаружено уменьшение концентрации оптически активного кислорода на 10  30 % по сравнению с термообработанными контрольными образцами

English

The behavior of gadolinium atoms in silicon was studied and it was found that diffusion doping of n-Si with gadolinium leads to a sharp increase in the 27 resistivity. This indicates that gadolinium introduces acceptor centers in silicon. A decrease in the concentration of optically active oxygen by 10  30% was found in comparison with heat-treated control samples.

№ Author name position Name of organisation
1 Utemuratova H..
2 Xusanov Z..
№ Name of reference
1 Bataev A.A., Tushinskij L.I., Kotorov S.A. Fizicheskie metody kontrolya kachestva materialov. Novosibirsk: Izd-vo NGTU, 2000. - S. 102.
2 Shalimova M.B., Sachuk N.V. Degradaciya `elektrofizicheskih harakteristik MOP struktur s oksidami `erbiya, gadoliniya, disproziya pod dejstviem `elektricheskogo polya. FTP, 2015, t.49, v.8, S.1071-1083.
3 Emcev V. V., Emcev V. V. (ml.), Poloskin D. S, Sobolev N. A., Shek E.I., Mihel' J., Kimerling L.S. Primesnye centry v kremnii, legirovannom redkozemel'nymi primesyami disproziem, gol'miem, `erbiem i itterbiem. FTP, 1999, T. 33, Vyp. 6, S.649-651.
4 Lazaruk S.K., Mudryj A.V., Ivanyukovich A.V., Leshok A.A., Fotolyuminescenciya legirovannyh `erbiem alyumooksidnyh plenok so vstroennymi kremnievymi nanochasticami FTP, 2005,T.39, V.8, S.927-930.
5 Veirman J., Dubois S., Enjalbert N., Lemiti M. «A fast and easily implement-ted method for interstitial oxygen concentration mapping through the activation of thermal donors in silicon», Energy Proc., vol. 8, no. 1, pp. 41-46, 2011.
6 Boltaks B.I., Bahadyrhanov M.K., Gorodeckij S.M., Kulikov G.S. Kompensirovannyj kremnij. - L. Nauka, 1972, 122 s.
Waiting