Изучено поведение атомов гадолиния в кремнии и установлено, что диффузионное легирование n-Si гадолинием приводит к резкому увеличению величины удельного сопротивления. Это свидетельствует о том, что гадолиний вводит акцепторные центры в кремнии. Обнаружено уменьшение концентрации оптически активного кислорода на 10 30 % по сравнению с термообработанными контрольными образцами
The behavior of gadolinium atoms in silicon was studied and it was found that diffusion doping of n-Si with gadolinium leads to a sharp increase in the 27 resistivity. This indicates that gadolinium introduces acceptor centers in silicon. A decrease in the concentration of optically active oxygen by 10 30% was found in comparison with heat-treated control samples.
№ | Author name | position | Name of organisation |
---|---|---|---|
1 | Utemuratova H.. | ||
2 | Xusanov Z.. |
№ | Name of reference |
---|---|
1 | Bataev A.A., Tushinskij L.I., Kotorov S.A. Fizicheskie metody kontrolya kachestva materialov. Novosibirsk: Izd-vo NGTU, 2000. - S. 102. |
2 | Shalimova M.B., Sachuk N.V. Degradaciya `elektrofizicheskih harakteristik MOP struktur s oksidami `erbiya, gadoliniya, disproziya pod dejstviem `elektricheskogo polya. FTP, 2015, t.49, v.8, S.1071-1083. |
3 | Emcev V. V., Emcev V. V. (ml.), Poloskin D. S, Sobolev N. A., Shek E.I., Mihel' J., Kimerling L.S. Primesnye centry v kremnii, legirovannom redkozemel'nymi primesyami disproziem, gol'miem, `erbiem i itterbiem. FTP, 1999, T. 33, Vyp. 6, S.649-651. |
4 | Lazaruk S.K., Mudryj A.V., Ivanyukovich A.V., Leshok A.A., Fotolyuminescenciya legirovannyh `erbiem alyumooksidnyh plenok so vstroennymi kremnievymi nanochasticami FTP, 2005,T.39, V.8, S.927-930. |
5 | Veirman J., Dubois S., Enjalbert N., Lemiti M. «A fast and easily implement-ted method for interstitial oxygen concentration mapping through the activation of thermal donors in silicon», Energy Proc., vol. 8, no. 1, pp. 41-46, 2011. |
6 | Boltaks B.I., Bahadyrhanov M.K., Gorodeckij S.M., Kulikov G.S. Kompensirovannyj kremnij. - L. Nauka, 1972, 122 s. |