ОСОБЕННОСТИ КРЕМНИЕВЫХ p-n СТРУКТУР С БОЛЬШОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ И ОБЛАСТЬЮ ОБЪЕМНОГО ЗАРЯДА

В докладе рассмотрены особенности полупроводникового приборостроения большой чувствительной поверхности и области объемного заряда на основе монокристаллов кремния. Изучены и показаны функциональные особенности и назначения разработанных приборов «Радонометр», «Радиометр», координатно- чувствительные структуры и т.д. Показаны их функциональные назначения в науке и технике. Показаны особенности p-n и p-in стрктур на основе монокристаллов пластин с диаметром d˃60 мм, толщиной W˃1,5 мм

The report considers the features of semiconductor instrumentation of a large sensitive surface and space charge region based on silicon single crystals. Studied and shown the functional features and purpose of the developed devices "Radonometer", "Radiometer", coordinate-sensitive structures, etc. Their functional purposes in science and technology are shown. The features of p-n and p-i-n structures based on single crystals of wafers with a diameter of d˃60 mm and a thickness of W˃1,5 mm are shown.