В работе исследованы влияние атермических лазерных и ультразвуковых обработок на фактор идеальности высоты барьера Шоттки, ток насыщения и напряжение пробоя поверхностно-барьерных и Шоттки диодов. Показано, что при лазерном облучении мощностью 103 Вт/см2 и ультразвуковой обработке в режиме fуз = 30 Мгц и t = 3 часа улучшаются основные параметры диодных структур.
Мақолада атермик лазерли ва ультратовушли ишловларнинг сиртий-тўсиқли ва Шоттки диодларининг тўсиқлари баландлигига, тўйиниш токи ва тешилиш кучланишларига таъсирлари ўрганилди. Лазер нурларининг қуввати 103 Вт/см2 ва ультратовушнинг fуз = 30 Мгц ва t = 3 соат шароитида таъсирлари натижасида диодларнинг асосий параметрлари яхшиланиши кўрсатилди.
В работе исследованы влияние атермических лазерных и ультразвуковых обработок на фактор идеальности высоты барьера Шоттки, ток насыщения и напряжение пробоя поверхностно-барьерных и Шоттки диодов. Показано, что при лазерном облучении мощностью 103 Вт/см2 и ультразвуковой обработке в режиме fуз = 30 Мгц и t = 3 часа улучшаются основные параметры диодных структур.
The article studies the infl uence of athermal laser and ultrasonic treatments on the ideal factor of the Schottky barrier height, saturation current and breakdown voltage surface - barrier and Schottky diodes. Showing that the laser irradiation power of 103 W/cm2 and an ultrasonic treatment mode fus = 30 MHz and t = 3 hours raises productivity of the main parameters of the diode structures.
| № | Муаллифнинг исми | Лавозими | Ташкилот номи |
|---|---|---|---|
| 1 | Ismaylov K.A. | Qoraqalpoq davlat universiteti | |
| 2 | Bekbergenov S.Y. | Qoraqalpoq davlat universiteti | |
| 3 | Ismaylov B.K. | Qoraqalpoq davlat universiteti | |
| 4 | Abdireymoba G.R. | Qoraqalpoq davlat universiteti | |
| 5 | Ermatov S.A. | Andijon davlat universiteti |
| № | Ҳавола номи |
|---|---|
| 1 | 1. Джаманбалин К.К., Дмитриев А.Г. Эволюция барьерного контакта GaAs-Ni, в омический при воз- действии лазерного излучения. // ФТП. -1990. – т.24. -№11. - С.2024-2028. 2. Баимбетов Ф.Б., Джумамухамбетов Н.Г. Механизм воздействия лазерных импульсов на полупро- водники А3В5. // Физика и химия обработки материалов.- 1999.- № 1.- С. 38-40. 3. Тагаев М.Б. Атермическая ультразвуковая обработка кремниевых СВЧ диодов. //ДАН Республики Узбекистан.- 1998.- №4. -С.52-54. 4. Болтовец Н.С., Исмайлов К.А., Конакова Р.В., Тагаев М.Б. Кремниевые диффузионные диоды с вольт-амперными характеристиками, близкими к идеальным. ЖТФ.- 1998.- т. 68.- № 10. - с.131-132. 5. Громошевский В., Деревенко А., Исмайлов К.А.и др. Улучшение характеристик кремниевых ЛПД при ультразвуковой обработке. -Физика и химия обработки материалов.- Москва, 1996.- № 6. 6. Дмитриев А.Г. Твердофазное разложение GaAs при действии лазерного излучения пороговой плотности. //ФТП. -1993. -Том 27. -Вып.4. -С.583-587. 7. Варшава С.С., Курило И.В., Кучма В.И. Микротвердость и хрупкость GaAs в зоне воздействия лазерного облучения. //Украинский физический журнал. -1991. –Том 36. -№10. -С.1521-1523. 8. Венгер Е.Ф., Ермолович И.Б., Миленин В.В., Конакова Р.В., Чайка Г.Е.. Влияние внешних ради- ационных, СВЧ- и механических возбуждений на образование дефектов в неметаллических кристал- лах. //Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение.-1994. – вып. 2.- С. 60-72. 9. Исмайлов К.А.., Камалов А.Б., Бижанов Е.К. Влияние сверхвысокочастотного излучения на процессы структурного упорядочения в диодах с барьером Шоттки. –Узб. физ. журн. – 2011, т.13, № 5.- С.349 -353. |