435

В статье представлен инновационный способ повышения эффективности гелиоэнергетики. Определены требования, предъявляемые к двум компонентам солнечного элемента (материалу подложки и характеру р-n перехода). Показана необходимость нанотехнологической подготовки подложки солнечного элемента. Определены условия, при которых можно в качестве подложки рассматривать технический кремний. Дана физическая картина процесса роста нанокластеров на поверхности подложки на основе фундаментального физического эффекта самоорганизации полупроводни ковых систем.
 

  • Internet ҳавола
  • DOI
  • UzSCI тизимида яратилган сана 21-12-2019
  • Ўқишлар сони 418
  • Нашр санаси 05-05-2019
  • Мақола тилиRus
  • Саҳифалар сони25-27
Ўзбек

Мақолада гелиоэнергетика самародорлигини оширишнинг инновацион усули тақдим этилган. Қуёш элементининг иккита компоненти (таглик материали ва p-n ўтиш характери)га қўйилувчи талаблар аниқланган. Қуёш элементи таглигини нанотехнологик тайёрлаш зарурати кўрсатилган.Техник кремнийга таглик сифатида қарашга имкон берувчи шарт-шароитлар аниқланган. Яримўтказгичли ситемаларнинг ўз ўзини ташкил қилиш физикавий эффекти асосида таглик сиртида нанлокластерлар ўсиш жараёнининг физик манзараси берилган.
 

Русский

В статье представлен инновационный способ повышения эффективности гелиоэнергетики. Определены требования, предъявляемые к двум компонентам солнечного элемента (материалу подложки и характеру р-n перехода). Показана необходимость нанотехнологической подготовки подложки солнечного элемента. Определены условия, при которых можно в качестве подложки рассматривать технический кремний. Дана физическая картина процесса роста нанокластеров на поверхности подложки на основе фундаментального физического эффекта самоорганизации полупроводни ковых систем.
 

English

In article presents an innovative way to improve the effi ciency of solar energy. The requirements for the two components of the solar cell (the substrate material and the nature of the p-n junction) are determined. The necessity of nanotechnological preparation of the solar cell substrate is shown. The conditions under which technical silicon can be considered as a substrate are determined. A physical picture of the growth process of nanoclusters on the substrate surface based on the fundamental physical eff ect of self-organization of semiconductor systems is given.

 

№ Муаллифнинг исми Лавозими Ташкилот номи
1 Imamov E.Z. professor TATU
2 Muminov R.A. akademik O'zFA FTI
3 Djalalov T.A.
4 Karimov N.x.
№ Ҳавола номи
1 1. Джалалов Т.А., Имамов Э.З., Муминов Р.А. Наноструктурный кремниевый солнечный элемент/ Монография. Ташкент: Fan va texnologiya, 2018. – 106 с. 2. Цой Б. Преобразователь электромагнитного излучения // EP2405487 A1 - Патент в Евразийском патентном ведомстве (2012.08.30) и Способ изготовления пучкового перехода, пучковый преобразователь электромагнитного излучения. №WO 2011/040838 // Патент во всемирной организации интеллектуальной собственности (07.04.2011). 3. Djalalov T.A., Imamov E.Z., Muminov R.A., Rakhimov R.Kh. Expamsion of eff ectivc absorb spectrum Unique opportunity to create cheap but eff ective silicon solar cells // Computational nanotechnology. – 2018 – №1. – P. 155-157. 4. Jalalov T.A., Imаmov E.Z., Muminov R.A., Sabirov H., Atoev Sh.Sh. Solar elements based on noncrystallic silicon with nanostructured impacts // Computational nanotechnology. – 2018. – №3. – P. 85-90. 5. Джалалов Т.А., Имамов Э.З., Муминов Р.А., Каримов Х.Н. Расширение спектра эффективного поглощения света // Илмий хабарнома. – 2017. – №3. – P. 18-23. 6. Джалалов Т.А., Имамов Э.З., Муминов Р.А., Рахимов Р.Х. Анализ роли нанообъектов в удешевлении кремни- евых солнечных элементов // Computational nanotechnology. – 2017. – №3. – P. 14-18 7. Imamov E.Z., Djalalov T.A., Muminov R.A., Rakhimov R.Kh. Unique opportunity to create cheap but eff ective silicon solar cells // Computational nanotechnology. – 2017. – №1. – P. 61-65. 8. Haken H. Synergetics. – Springer, Berlin-Heidelberg, 1997. 9. Бахадирханов М.К., Ортиков И.Б. Малый энциклопедический справочник по полупроводниковым материа- лам. – Ташкент: ТашГТУ, 2006. – 199 с. 10. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Иванов С.В. и др. Упорядоченные массивы квантовых точек в полупроводни- ковых матрицах // Успехи физических наук. – 1996. – Т. 166. – №4. – С.423-428. 11. Shchukin V.A., Ledentsov N.N., Kop’ev P.S., Bimberg D. Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands // Physical Review Letters – 1995. – V. 75. – №16. – P. 2968-2971. 12. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А. и др. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свой- ства, лазеры // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т. 32. – .№4. – С. 385-410.
Кутилмоқда