logo
calendar31 Oktabr 2019
view39
Основной язык:Английский

STRUCTURAL FEATURES OF SOLID SOLUTIONS (InSb)1-x(Sn2)x FILMS GROWN FROM A LIQUID PHASE ON GaAs SUBSTRATES AND SOME PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF HETEROSTRUCTURES ON THEIR

Область науки:
pdf

5dbabc7b4c881.pdf

PDF

Zamonaviy fan taʼlim va tarbiyaning dolzarb muammolari ilmiy elektron jurnali

Zamonaviy fan taʼlim va tarbiyaning dolzarb muammolari ilmiy elektron jurnali

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
Методом жидкофазной эпитаксии из индиевого раствора расплава выращены слои твердых растворов (InSb)1-x(Sn2)x на GaAs(100) и GaP(100) подложках. Твердый раствор (InSb)1-x(Sn2)x (0 х 0.05) имел монокристаллическую структуру с ориентацией (100), с параметром решетки as.s. = 6.486 Å и дырочной проводимости. Для оценки ширины запрещенной зоны эпитаксиального слоя твердого раствора, которая составляла 0,11 эВ, использовалась спектральная зависимость коэффициента поглощения. Спектральная фоточувствительность гетероструктур n-GaAs–p-(InSb)1-x(Sn2)x и n-GaP–p-(InSb)1-x(Sn2)x охватывает диапазон длин волн от 1,0 до 5,3 мкм.

АВТОРЫ

A.Saidov

Starodubtsev Physical–Technical Institute

SH.Usmonov

Starodubtsev Physical–Technical Institute

U.Asatova

UrDU

T.Ishniyazov

Starodubtsev Physical–Technical Institute

Теги

# solid solution# liquid-phase epitaxy# band gap energy# carrier concentration# heterostructure# spectral dependence of the absor# твердый раствор# жидкофазная эпитаксия# энергия запрещенной зоны# носители заряда# гетероструктура# спектральная зависимость коэффиц# қаттиқ қотишма# суюқ фазали эпитаксия# тақиқланган зона энергияси# заряд ташувчилар# ютилиш коэффициентининг спектрал

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0021/A1019-0263

DOI:

Недоступно

Список литературы

[1]. A.N. Baranov, B.E. Dzhurtanov, A.N. Imenkov, A.A. Rogachev, Yu.M. Shernyakov, Yu.P. Yakovlev FTP, 20 (12), 2217 (1986)

[2].G. Bougnot, mF. De Lannoy. J. Electrochem. Soc., 135, 783 (1988)

[3].A. Mabbit, A. Parker. Sens. Rev., 16 (3), 38 (1996)

[4].A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 3117 (1999)

[5].Akchurin R.Kh., Sakharova T.V. Letters to the Journal of Physics and Technology, 18 (10), 16 (1992)

[6]. Akchurin R.Kh., Akimov O.V. FTP, 29 (2), 362 (1995)