logo
calendar28 Oktabr 2020
view70
Основной язык:Русский

ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОБРАБОТОК НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ ЛЕГИРОВАННОМ ПЛАТИНОЙ

Область науки:
pdf

file.pdf

PDF

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
Методом емкостной спектроскопии исследована кинетика отжига глубоких уровней в кремнии с примесью платины при низких температурах. Показано, что изотермический отжиг глубоких уровней в Si начинается при 350оС и приводит к резкому уменьшению концентрации уровней Pt, при этом по мере отжига концентрация уровня Ес-0.21 эВ, обусловленного дефектами термообработки, увеличивается. Установлено, что кинетика отжига уровней зависит и от содержания кислорода в кремнии.

АВТОРЫ

SH.Utamuradova

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

K.Fayzullaev

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

Z.Olibekov

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

J.Khamdamov

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

Теги

# диффузия# концентрация# concentration# diffusion# кремний# глубокий уровень# платина# platinum# deep level# спектр DLTS# DLTS spectrum

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

DOI:

Недоступно

Список литературы

Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника