28 Oktabr 2020
72Основной язык:Русский
ДАТЧИКИ СКОРОСТИ ПОТОКА СПЛОШНЫХ СРЕД
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
The design features of a thermoanemometric sensor based on silicon with nanoclusters of Nickel atoms, which has high sensitivity and stability of output parameters, are considered. Their electrophysical parameters are studied depending on the type of continuous media.
АВТОРЫ
S.Nasriddinov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
D.Esbergenov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Теги
# чувствительность# sensitivity# sensor# диффузия# легирование# температура# flow# поток# temperature# diffusion# silicon# датчик# alloying# кремний# nickel# никел
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника