28 Oktabr 2020
67Основной язык:Русский
НОВАЯ РАЗНОВИДНОСТЬ УСИЛИТЕЛЯ НАПРЯЖЕНИЯ НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ С ДИНАМИЧЕСКОЙ НАГРУЗКОЙ
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
Приводятся результаты исследования особенностей коэффициента усиления усилителя напряжения на полевых транзисторах с динамической нагрузкой. Экспериментально показано, что по мере увеличения значения входного сопротивления коэффициент усиления напряжения увеличивается без искажений формы выходного сигнала.
АВТОРЫ
A.Karimov
Физико-технический институт НПО "Физика-солнце" АН РУз
A.Karimov
Ташкентский институт инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства
B.Kamanov
Ташкентский институт инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства
D.Yodgorova
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Теги
# Input signal# схема с динамической нагрузкой# усилитель напряжения# полевой транзистор# входной сигнал# dynamic load circuit# voltage amplifier# field effect transistor
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника