logo
calendar25 Dekabr 2020
view32
Основной язык:Русский

РЕЛАКСАЦИОННАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ЕМКОСТИ ТРЕХСЛОЙНОЙ СТРУКТУРЫ В ПРОЦЕССЕ ФОРМИРОВАНИЯ ЗАРЯДА ИНВЕРСИОННОГО СЛОЯ.

Область науки:
pdf

5fe59fe12c751.pdf

PDF

Научный вестник Наманганского государственного университета

Научный вестник Наманганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
Исследовано влияние ультразвукового воздействия на плотность электронных состояний, локализованных на межфазной границе раздела Si-стекло. Предложена методика определения величин скорости поверхностной и объемной генерации носителей заряда, используя расчётную временную зависимость ширины области пространственного заряда (ОПЗ) при сравнении её с экспериментальной зависимостью. Ультразвуковая обработка структур Al-n-Si – стекло – Al, частотой 2,5мГц мощностью 0,5 Вт, в течение 40 минут приводит к уменьшению скорости формирования заряда инверсионного слоя. Это обусловлено уменьшением интегральной плотности электронных состояний, локализованных на межфазной границе раздела полупроводник- стекло и не влияет на энергетический спектр объемных электронных состояний в полупроводнике.

АВТОРЫ

B.Kuchkarov

O.Mamatkarimov

A.Abdulkhayev

Теги

# релаксация# relaxation# генерация# Ультразвуковое облучение# С-V характеристики# локализованные состояния# генерация носителей# диэлектрические потери# межфазные границы# Ultrasonic irradiation# C-V characteristics# localized states# carrier generation# dielectric loss# interfaces# Ултратовуш нурланиш# С-V характеристикаси# махалилаштирилган холатлар# яшаш вакти# диэлектрик исроф# инверсиялар қатлами

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A1220-0157

DOI:

Недоступно

Список литературы

Pershenkov V.S, Popov V.D, Shalnov A.V Poverxnostnie radiatsionnie effekti v IMS. – M.; Energoatomizdat,1988.-S 187.

CHistov YU.S., Sinorov V.F. Fizika MDP –struktur . Voronej: VGU, 1986,-156.

Baraban A.P., Bulavinov V.V, Konora P.P. Elektronika sloev SiO2 na kremnii . L., LGU. 1988.-S 302.

Menshikova T.G., i dr. Vliyanie ioniziruyushego izucheniya na planarno – neodnorodnie MDP strukturi. Elektronika i informatika . Materiali mejdunarodnoy nauchno-texnicheskoy konferensii . Moskova 2005.CH.1. S139

Levin M.R., Tatarinsev A.B., Ivankov YU.V. Modelirovanie vozdeystviya ioniziruyushix izlucheniy na MDP strukturu .Kondensirovannie sredi i mejfaznie granitsi .2002 .t.4.№3.S195-202.

Menshikova T.G., Bormontov A.E., Ganja V.V., Vliyanie fluktuatsiy vstroennogo zaryada na elektrofizicheskie xarakteristiki MDP struktur. Vestnik VGU. Seriya :fizika .matematika ,2005, №1

Zaveryuxina B.N., Zaveryuxina N.N., Vlasov S.I , Zaveryuxina E.B. Akustostimulirovannonoe izmenenie plotnosti i energeticheskogo spektra poverxnostnix sostoyaniy v monokristallax r-kremniya .Pisma v JTF. 2008 tom 34,vip 6.S 36-42.

Vlasov S.I., Zaveryuxin B.N.,Ovsyannikon A.V., Vliyanie ultrazvukovoy obrabotki na generatsionnie xarakteristiki granitsi razdela polupprovodnik-steklo. Pisma v JTF.2009.tom 35 .vip 7.S 41-45.

Vlasov S.I. Ovsyannikov A.V., Ismoilov B.K., Kuchkarov B.X. Vliyanie ultrazvukovoy obrabotki na skorost formirovaniya zaryada inversionnogo sloya v strukturax metall- steklo –poluprovodnik . Materiali mejdunarodnoy nauchno – prakticheskoy koferensii . Strukturnaya relaksatsiya v tverdix telax . Vinnitsa .2012.S 234-236.

Zaynabidinov S.Z.,Vlasov S.I.,Nasirov A.A. Neravnovenie protsessi na granitse razdela poluprovodnik –dielektrik.-Tashkent, Universitet 1995.-S 113.

Vlasov S.I., Ovsyannikov A.V., Ismailov B.K., Kuchkarov B. Kh. Effect of presure on the properties of Al-SiO2-n-Si<Ni> structures. Semiconductor Physics, Quantum electronics and Optoelectronics. 2012. Vol. 15. № 2. P.166-169.