7 Yanvar 2021
26ВЛИЯНИЕ ТУНЕЛЬНОГО ТОКА НА СКОРОСТЬ ПОВЕРХНОСТНОЙ ГЕНЕРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
5ff69874e9c6d.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
АВТОРЫ
B.Qochqarov
A.Nishonov
X.Qochqarov
Теги
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- ABOUT SOLUTIONS OF SOME PARTIAL INTEGRAL EQUATIONS OF THE FREDHOLM TYPE
Научный вестник Наманганского государственного университета · 6 Mart 2024
- UCH O‘LCHOVLI FAZODA TOR TEBRANISH TENGLAMASI UCHUN NOLAKAL CHEGARAVIY MASALANING UMUMLASHGAN YECHIMINI SOBOLEV FAZOSIDA MAVJUD VA YAGONALIGI
Научный вестник Наманганского государственного университета · 6 Mart 2024
- ОБЪЕКТИВНАЯ И СУБЪЕКТИВНАЯ ЗНАЧЕНИЕ СОЦИАЛЬНЫХ И КУЛЬТУРНЫХ ФАКТОРОВ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ИНТЕЛЛЕКТУАЛЬНОЙ СИЛЫ МОЛОДЕЖИ
Научный вестник Наманганского государственного университета · 3 Noyabr 2023
- ИНТЕРПРЕТАЦИЯ НРАВСТВЕННЫХ ПРИНЦИПОВ В ФИЛОСОФИИ АМИРА ТЕМУРА (на примере честности, правдивости, порядочности)
Научный вестник Наманганского государственного университета · 3 Noyabr 2023
- ЭКОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОБЛЕМЫ В УЗБЕКИСТАНЕ И ВОПРОСЫ РАЗВИТИЯ ЭКОКУЛЬТУРЫ ОБЩЕСТВА
Научный вестник Наманганского государственного университета · 3 Noyabr 2023
- РОЛЬ ПАТРИОТИЗМА В УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ ДУХОВНОСТИ МОЛОДЕЖИ
Научный вестник Наманганского государственного университета · 3 Noyabr 2023
Оценить статью
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Berman L.S.Lebedev A.A.Emkostnaya spektroskopiya glubokix sentrov v poluprovodnikax.Leningrad.Nauka.1981.184 s.
Zerbst M.Ralaxation effects on holbeiter isolator- grenzflochen.Zangew.Phys.1962. № 30.P.22-29.
Abduraxmanov K.P.Berman L.S. Vlasov S.I.Kotov B.A.Issledovanie ostatochnix glubokix sentrov v strukturax metall-dielektrik-poluprovodnik yomkostnim metodom.FTP.1979 g.T.13.Vip.7.str.1447-1450.
Parchinskiy P.B.,Vlasov S.I.Generatsionnie xarakteristiki granitsi razdela kremniy-svinsovo-borosilikatnoe steklo. Mikroelektronika.2001.t.30.№ 6. str.466- 471
Kang J.S.Schroder D.K. The Pulsed MIS Capacitor.Phys.Stat.Sol.(a) 1985.89,13 ,P.13-43.
Vlasov S.I.,Ovsyannikov A.V.Skorost poverxnostnoy generatsii nositeley zaryada po granitse razdela poluprovodnik - steklo. Elektronnaya obrabotka materialov.2008 g.№ 1 (249) str.91-94.
Chistov Yu.S., Sinorov V.F. Fizika MOP-struktur.Voronej.VGU.1989.222 s.
Vlasov S.I., Parchinskij P.B., Ligaij L.G. Temperature Dependence of Carrier Generation at the Silicon-Lead-Borosi- licate-Glass Interface. Microelectronics. 2003. v. 32,№ 2, p. 95-98