logo
calendar14 Yanvar 2021
view68
Основной язык:Узбекский

БИР ЖИНСЛИ БЎЛМАГАН МОНОКРИСТАЛЛ КРЕМНИЙДА РАДИАЦИЯВИЙ-ФИЗИК ЖАРАЁНЛАР

Область науки:
pdf

600004531d4f9.pdf

PDF

Научный вестник Наманганского государственного университета

Научный вестник Наманганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
в работе изучено изменение электрофизических свойств кремния, компенсируемых радиационными дефектами при повторном облучении гамма-квантом, и предложена модель увеличения при излучении потенциального барьера между высоко- и низко проводимых областях.

АВТОРЫ

A.Kurbanov

Теги

# кластер# cluster# impurity# silicon# кремний# примесь# киришма# нуқсон# defect# потенциал тўсиқ# потенциальный барьер дефект# potential barrier

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A0121-0112

DOI:

Недоступно

Список литературы

Yang,J,Li,X.,Liu,C.,Fleetwood,D.M.The effect of ionization and displacement damage on minority carrier lifetime // Microelectronics Reliability.2018,-V.82,-P.124-129.

Ermolov P.,Karmanov D.,Leflat A.,Manankov V.,Merkin M.,SHabalina E. Neytronno- navedennie effekti v zonnom kremnii, obuslovlennie divakansionnimi klasterami s tetravakansionnim yadrom // FTP. -Sankt-Peterburg, 2002, -T.36,-№ 10, -S.1194-1201.

Makhkamov Sh.,Karimov M.,Khakimov Z.M.,Odilova N.Dj.,Makhmudov Sh.A., Kurbanov A.O.,and Begmatov K.A. Interaction of deep impurities with radiation defects in n-Si at -irradiation // Radiation effects. and defects in solids.–Berlin, 2005. -V.160. -№8. - R.349-356.

Karimov M.Radiatsionno-fizicheskie protsessi v kompensirovannom kremnii. Avtoref.dis.dok.-fiz.-mat. nauk. -Tashkent, 2001.- 31 s.