logo
calendar4 Noyabr 2021
view30
Основной язык:Узбекский

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА n-GaAs – p-(GaAs)1-x(Ge2)Х ГЕТЕРОСТРУКТУР С НАНОКРИСТАЛЛАМИ ГЕРМАНИЯ

Область науки:
pdf

61836de7b5d14.pdf

PDF

Научный вестник Наманганского государственного университета

Научный вестник Наманганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
Аннотация:Показано, что в спектре общей гауссовской линии, имеется крайняя длинноволновая область с энергией фотонов 1,1 эВ и трех компонент, соответствующих НамДУ илмий ахборотномаси - Научный вестник НамГУ 2020 йил 1-сон 59 соединениям As-Ge, Gе-Ge и Ga-Ge. Определено, что наноостровки на поверхности эпитаксиального слоя (GaAs)1-х(Ge2)x обусловлены примесными атомами.

АВТОРЫ

A.Boboyev

Andijan State University

J.Usmanov

Andijan State University

X.Mahmudov

Andijan State University

M.Urinboyev

Andijan State University

A.Tojimuhammadov

Andijan State University

Теги

# полупроводник# film# heterostructure# гетероструктура# подложка# substrate# яримўтказгич# semiconductor# epitaxy# single crystal# пленка# эпитаксия# монокристалл# таглик# гетеротузилма# твердый раствор.# solid solution.

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A1121-0009

DOI:

Недоступно

Список литературы

С.С. Хлудков. Вестник Томского Государственного университета общенаучный периодический журнал. № 285, 2005, ст. 84-94.

M.S. Saidov. Low-temperature crystallization of semiconductor solid solutions that are promising for the realization of the extrinsic thermo photovoltaic effect. Applied Solar Energy. 2007, vol. 43, no 1, pp 45-48.

Журавлев К.С., Чикичев С.И., Штаске Р., Якушева Н.А. ФТП, 1990, Том 24, вып. 9. Ст.1645-1649.

S.Z. Zaynabidinov et al. Growth, Structure, and Properties of GaAs-Based (GaAs)1-xy(Ge2)x(ZnSe)y Epitaxial Films. Semiconductors, 2016, vol. 50, no. 1, pp. 59-65.

Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov. J. Appl. Phys., 109, 123 107 (2011).

И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь.. ФТП, 1999, том 33, вып 6, ст. 697-700.

В.П. Хвостиков, Л.С. Лунин, В.И. Ратушный, Э.В. Олива, М.Э. Шварц, О.А. Хвостикова. Фотообразователи на основе GaAs/Ge гетероструктур, полученных методом низко температурной ЖЭФ. Письмо в ЖТФ.2003. 29(14) стр. 46-49

Дубровский В.Г., Теория формирования эпитаксиальных наноструктур. С. 486, (Москва:Физматлит: 2009).