logo
calendar4 Noyabr 2021
view26
Основной язык:Русский

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ХАРАКТЕРА ТЕРМООБРАБОТКИ НА ВРЕМЯ ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КРЕМНИИ, ЛЕГИРОВАННОМ МЕДОМ

Область науки:
pdf

618375a4e6d02.pdf

PDF

Научный вестник Наманганского государственного университета

Научный вестник Наманганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
Обсуждается зависимости времени жизни носителей заряда () в монокристаллического кремния от концентрации легуришего примеся меди и последиффузионного охлаждении. Полученные результаты обяъсняются перераспределением неосновных носителей на уровне прилипания. В компенсированном p- Si и контрольном p-Si релаксационный процесс происходит различным образом:   98 с для р-Si, и   5 с для р-Si. При этом с ростом исходной концентрации носителей заряда (в данном случае бора-В) в компенсированном кремнии наблюдается возрастание  (при равных значениях ), которое обусловлено различной степенью микронеоднородности по проводимости в исследованных образцах.

АВТОРЫ

J.Mirzaraimov

, Namangan Engineering and Technology Institute

Теги

# диффузия# silicon# кремний# термообработка# мис# heat treatment# potential barrier# глубокоуровневые центры# термоотжиг# примесный дефект# потенциальный барьер# микронеоднородность..# deep-level centers# heat annealing# impurity defect# microinhomogeneity..# крeмний# микрохархиллик# термик ишлов# яшаш вақти.

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A1121-0139

DOI:

Недоступно

Список литературы

Е. А. Татохин, А. В. Буданов, И. Ю. Бутусов, Л. В. Васильева, Е.А. Тутов. Вестник ВГУ, серия: Физика. математика, 2008, № 2. С. 60-70.

В.И.Фистуль. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1984. C. 352.

Юнусов М.С., Каримов М., Джалелов М.А. ФТП. Санкт–Петербург, 2001. Т- 35. №3. С. 317-320.

Влияние примеси меди на электрофизические и рекомбинационные свойства кремния при термо- и радиационном воздействии: диссертасия ... кандидата физико - математических наук: 01.04.07 / Махмудов Шерзод Ахмадович; [Место защиты: ИЯФ АН РУз ].- Ташкент, 2012. - 126 с.

А.Милнс. Примеси сглубокими уровнями в полупроводниках /Под ред. док. физ .- мат. наука М.К.Шейнкман. Мир, М.(1977) 502 с.

Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н.А., Махмудов Ш.А., Бегматов К.А., Караходжаев А.К., Садиков А.Х. Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора // Известия вузов. Физика. 2009 г., № 5. С. 9-12.

М.Ю. Ташметов, Ш.А. Махмудов, А.А. Сулаймонов, А.К. Рафиков, Б.Ж. Абдурайимов. Фотодатчики на основе нейтронного легированного кремния. Гелиотехника, 2018. Вып. 6. С. 61-64.

Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А. Физика и техника полупроводников. 2019, выпуск 6, С. 810.

М.Каримов, А.К.Караходжаев. Известия вузов. Физика, 7, 54 (2001).

А.А. Istratov , E.R. Weber. Арр1. Phys. А 66, 123 (1998).

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Гусев А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Процессы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с различным изотопным составом.Журнал. Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2010. №5 (2), С. 335-338

Джуплин В.Н. Дефектообразование в кремнии под пленками никеля при термообработке. Журнал «Известия ЮФУ. Технические науки» 2000 г.№5, С. 16-21.

С.З.Зайнабидинов, Х.С.Далиев. Дефектообразование в кремнии. Университет, Ташкент (1993) 190 с.

С.Зайнабидинов. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии. Фан,Ташкент (1984) 168 с.

D.V. Lang . J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)