logo
calendar6 Noyabr 2021
view36
Основной язык:Русский

ВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИИ НА ФОТОТОКИ В P-N ПЕРЕХОДАХ

Область науки:
pdf

618642ac35d45.pdf

PDF

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
В работе рассмотрена влияния воздействия света и деформации на ВАХ p-n перехода. Показано новые возможности управления вольтамперной характеристикой p-n перехода с помощью деформации и освещения. Деформация меняет ширину запрещенной зоны полупроводника, это способствует изменению коэффициента поглощения и при воздействии деформации обратная ветвь p-n-перехода опускается ниже с ростом деформации.

АВТОРЫ

A.Gulyamov

Физика-техника институти илмий ишлаб чиқариш бирлашмаси «Физика-Қуёш» Ўзбекистон Республикаси

M.Usmanov

Namangan state university

Теги

# фототок# тақиқланган зона# photocurrent# запрещенная зона# band gap# короткого замыкания# напряжение холостого хода# поглощения энергии.# short circuit# private voltage# energy absorption.# қисқа туташув# салт кучланиш# энергия ютилиши.

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

DOI:

Недоступно

Список литературы

Бонч-Бруевич В.Л.Калашников С.Г. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986.- 435 с..

П.С.Киреев. Физика полупроводников. М. “Высшая школа”1975 г.

Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1978)

G. Gulyamov, A.G. Gulyamov. On the Tensosensitivity of a p–n Junction under Illumination. Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 6, pp. 819–822.

Г.Гулямов, А.Г.Гулямов. Влияние деформации на реактивные фототоки в полупроводниках. «Альтернативная энергетика и экология».– Россия, г.Саров, 2014.-№13. C. 17–21.

Jacques I. Pankove, Optical processes in semiconductors (Prentice-Hall, Inc. Englewood Cliffs, New Jersey, 1971).

П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника – Справочник. (Наукова думка, Киев, 1975).