logo
calendar1 Noyabr 2019
view33
Основной язык:Английский

SIMULATION OF PARAMETERS OF nGe- pSi1-XGeX DIODE STRUCTURES ON TCAD SENTAURUS

Область науки:
pdf

5dbc2e351fd22.pdf

PDF

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
В этой статье проведено моделирование параметров твердых растворов pSi1-xGex и диодных структур. С использованием приборно-технологического моделирования Synopsys TCAD (Technology Computer Aided Design) Sentaurus получена зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердого раствора. А также моделирована вольтамперная характеристика структуры от состава и концентрации носителей заряда в пленке.

АВТОРЫ

S.Saidov

UrDU

U.Asatova

UrDU

SH.Ismailov

UrDU

SH.Usmonov

UrDU

Теги

# solid solution# band gap energy# твердый раствор# heterogeneous junction# molar composition# impurity# : твердый раствор# гетеропереход# ширина запрещенной зоны# мольный состав# легирующая примесь

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

DOI:

Недоступно

Список литературы