logo
calendar1 Noyabr 2019
view40
Основной язык:Узбекский

INFLUENCE OF NON-UNIFORM LATERAL INTERFACE DEFECTS DISTRIBUTION TO THE CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF MOSFET

Область науки:
pdf

5dbc2fd929256.pdf

PDF

Zamonaviy fan taʼlim va tarbiyaning dolzarb muammolari ilmiy elektron jurnali

Zamonaviy fan taʼlim va tarbiyaning dolzarb muammolari ilmiy elektron jurnali

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
В статье изученавлияние неоднородности бокового распределения заряженных граничных дефектов на ток стока в нанометровом МОП транзисторе. Результаты моделирования показывают, что ток стока зависит как от неоднородного распределения дефектовкак вдоль длины так и вдоль ширины канала. Максимальное изменение тока стока наблюдается при локализации дефектов в центре плоскости раздела.

АВТОРЫ

Теги

# MOY transistor# zatvor# МОПТ# затвор# MOSFET# gate# interface defects# transconductanse# potential distribution.# chegara nuqsonlari# o`tish voltamper harakteristikas# potencial taqsimoti.# граничные дефекты# передаточная вольтамперная харак# распределение потенциала.

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0021/A1119-0017

DOI:

Недоступно

Список литературы

1. TermanL.M. //Sol. St. Electron. 1962. N5. P.285

2. WinokurP.S., SchwankJ.R., McwhorterP.J. et.al.//IEEETrans on Nucl.Sci.1984. VolNS-31. N6, P.1453-1460

3. SchwankJ.R., WinokurP.S., McwhorterP.J. et.al.//IEEETrans. On Nucl.Sci.1984. Vol NS-31. N6, P.1434-1438

4. Barret R.C. and Quate C.F. J. Appl. Phys. 1991, 70, pp. 2725-2733

5. АтамуратовА.Э., МатрасуловД.У., XабибуллаевП.К. // ДАН. 2007. Т. 414. № 6. С. 761–764