27 Mart 2022
25Основной язык:Русский
ВЛИЯНИЕ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ НА МЕХАНИЧЕСКИЕ И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ОХЛАЖДАЮЩИХ ТЕРМОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ ВИСМУТА И СУРЬМЫ
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
Исследованы механические и термоэлектрические свойства термоэлементов на основе Bi0.5Sb1.5Te3, легированных никелем. Определены пути повышения предела прочности при сжатии. Исследовано влияние легирующих добавок на температурные зависимоститермоэлектрических параметров термоэлементов.
АВТОРЫ
K.Daliev
Филиала Национального исследовательского университета “Московский энергетический институт” в г.Ташкенте,
Теги
# легирование# термоэдс# термоэлемент# прочность. упрочнение
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно