27 Mart 2022
29Основной язык:Русский
ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА УРОВНИ ЛАНДАУ ЭЛЕКТРОНОВ В ЗОНЕ ПРОВОДИМОСТИ С ПАРАБОЛИЧЕСКИМ ЗАКОНОМ ДИСПЕРСИИ
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
разработан новый метод исследования влияния высокого давления на уровни электронов Ландау в полупроводниках. Исследовано влияние давления на осцилляции эффектов Шубникова - де Гааза и де Гааз - ван Альфена в полупроводниках. Теоретические результаты сравниваются с экспериментальными результатами. Показано, что влияниедавления на ширину запрещенной зоны существенно проявляется на величине осцилляций в ффектах Шубникова - де Гааза и де Гааз - ван Альфена в полупроводниках.
АВТОРЫ
U.Erkaboev
Namangan Engineering-Construction Institute
Теги
# давление# уровни Ландау# осцилляции эффектов Шубникова -
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно