27 Mart 2022
33Основной язык:Русский
ВЛИЯНИЕ Щ ЕЛОЧНЫ Х МЕТАЛЛОВ НА ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГРАНУЛИРОВАННОМ КРЕМНИИ
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
работе приведены результаты экспериментального исследования влияния щелочных металлов на перенос носителей заряда в гранулированном кремнии при повышении температуры. Обнаружена смена полярности напряжения и направления тока при достижении определенных температур - эффект, ранее наблюдавшийся у нагреваемых беспереходных образцов поликристаллического кремния, также легированных щелочными металлами и объясняемый совместным проявлением процессов эмиссии и захвата носителей заряда на глубоких энергетических состояниях
АВТОРЫ
L.Olimov
Андижанский машиностроительный институт
Теги
# электропроводность# ранулированный кремний# окисный слой# щелочные металлы# энергетические уровни
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлект роника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно