27 Mart 2022
27Основной язык:Русский
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВАРИЗОННЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ КРЕМНИЯ С НАНОКЛАСТЕРАМИ ПРИМЕСНЫХ АТОМОВ Zn и Se
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
В данной работе показана возможность расширения области спектральной чувствительности кремния путем создания в кристаллической решетке кремния бинарных соединений Zn и Se. Установлено, что разработанная технология позволяет получить бинарные нанокластеры Zn и Se в кремнии с определенными физическими параметрами
АВТОРЫ
N.Zikrillaev
ТГТУ
Теги
# технология# диффузия# атом# ремний# варизонная структура# электрические
параметры# фотоэлементы# нанокластеры# фотоприёмники
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно