logo
calendar13 Iyul 2022
view25
Основной язык:Английский

INVESTIGATION OF POLYCRYSTALLINE SILICON AND CADMIUM TELLURIDE BASED STRUCTURES PROPERTIES

Область науки:
pdf

file.pdf

PDF

Научный вестник Ферганского государственного университета

Научный вестник Ферганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
В данной статье изучены фотоэлектрические свойства гетероструктур, основанных на CdTe-SiO2-Si. Впервые показана возможность контроля спектра короткого замыкания тока и фото –EMF с использованием свойственного заряду диэлектрика (SiO2). Установлено, что время релаксации способности получения в нем составляет 25 суток. Показано, что данная гетероструктура запоминает не только сломанные, но и вощ\зможность использования в качестве оптоэлектронных спектральных ячеек, обладающих способностью их сборки.

АВТОРЫ

Y.Vaytkus

Vilnius State University

S.Otajonov

Vilnius State University

N.Alimov

Vilnius State University

Теги

# фотопроводимость# photoconductivity# deep levels# фотоўтказувчанлик# фотоэлектр ҳаракатлантирувчи куч# фотосезувчанликнинг тарқалиш спе# токнинг қисқа туташув асимметрия# юзаки фото efm# паст даражалар# фотоэлектрическая движущая сила# спектр распределения фоточувстви# нарушение асимметрии короткого з# поверхностное фото efm# низкие уровни# photo-electromotive force# spectrum distribution of photose# short circuit current barrier as# surface photo efm

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0106/A0722-0115

DOI:

Недоступно

Список литературы

1. Krasnikov G.Y. Design and technological features of submicron MOSFETs. M. Tekhnosfera 2002. Part 1. 416.

2. Goldman E.I., Zhdan A.G., Chucheva G.V. Transport of free ions on insulator layer and the effects of electron-ion exchange at the interface with the semiconductor-insulator thermally stimulated depolarization ionic Si-MOS structures / / FTP. - 1999. - № 8.

3. Shustov M.A., Protasevich E.T. Electric-Photo. – Tomsk. 1999. р. 244.

4. Юодвиршис А., Микалкявичюс М., Венгрис С. Основы физики полупроводников. Вильнюс. Моклас. 1958-352с.

5. Guerrieri R., Giampolini P., Gnidi A., IEEE Tranacactions on Electron Devieces. 1986., V.ED - 33. № -8., P.1201-1206