logo
calendar13 Iyul 2022
view23
Основной язык:Узбекский

ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p- CdTe - SiO2 - Si

Область науки:
pdf

file.pdf

PDF

Научный вестник Ферганского государственного университета

Научный вестник Ферганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
В гетероструктуре p- CdTe - SiO2 - Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти - наличие асимметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации способности запоминания в нем составляет 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их

АВТОРЫ

Теги

# фотопроводимость# фотоприемник# фотосезгирлик# фоточувствительность# қисқа туташув токи# photoconductivity# : фотоўтказувчанлик# микропотенциал тўсиқ# спектрал эсда олиб қолиш# фотоқабулқилгич# микропотенциальный барьер# ток короткого замыкания# спектральная память# micropotential barrier# current of shortcut circuit# photosensibility# spectral memory# optical detector

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0106/A0722-0141

DOI:

Недоступно

Список литературы

3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Поверхность. – Москва: Наука, 3 стр. 44-49 (1999).

4. Абдуллаев Э.А., Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. Запоминающее устройство. Патент. I НДР РУз № 9700869.1. от 15.03.99 168 стр

1. Шейнкман М.К. Шик А.Я.. ФТП. 10. стр. 209 (1976)

2. Отажонов С.М. Физическая инженерия поверхности. Украина, том 2, №1-2, стр 28-31 (2004) ъ