logo
calendar23 Iyul 2022
view27
Основной язык:Узбекский

ЯРИМ ЎТКАЗГИЧЛАРДА ЗАРЯД ТАШУВЧИЛАР РЕКОМБИНАЦИЯСИ ВА УНИНГ ЯШАШ ВАҚТИГА ТАЪСИРИ

Область науки:
pdf

62dbc9771d437.pdf

PDF

ИННОВАЦИОННЕ ТЕХНОЛОГИИ

ИННОВАЦИОННЕ ТЕХНОЛОГИИ

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
The article focuses on the photoelectric phenomena in semiconductors, as well as the influence of impurity atoms and recombination processes on the photosensitivity of photocells. The relationship between the recombination rate in semiconductors and the concentration of nonequilibrium charge carriers formed under the action of light has been explained. The dependence of the lifetime of charge carriers on the location of recombination centers has also been shown.

АВТОРЫ

M.Aliqulov

QarMII

Теги

# рекомбинация# silicon# кремний# время жизни# lifetime# generation# recombination# генерация# носитель# ловушка# carrier# trap

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0032/A0722-0002

DOI:

Недоступно

Список литературы

Бочкараева Н.И., Ребане Ю.Т., Шритер Ю.Г. Рост скорости рекомбинации Шокли-Рида-Холла в квантовых ямах InGaN/GaN как основной механизм падения эффективности светодиодов при высоких уровнях инжекции. //Физика и техника полупроводников, 2015, том 49, вып. 12, с.1714-1719.

Dyakonov M.I., Kachorovskii V.Y. Nonthreshold Auger recombination in quantum wells //Phys.Rev. B.American Physical Society, 1994. Vol. 49. №24. P.17130-17138.

Krishnamurthy S.,Berding M.A. Yu.Z.G. Minority carrier lifetimes in HgCdTe alloys// J/Electron. Mater.Springer-Verlag, 2006. Vol.35, №6, P.1369-1378.

Casselman T.N., Petersen P.E. A comparison of the dominant Auger transitions in p-type (Hg, Cd)Te// Solid State Commun. 1980. Vol.33, №6, P.615-619.

Iveland J., Piccardo M.,Martinelly L., Peretti J., ChoiJ.W., Young N., Nakamura S., Speck J.S., Weisbuch C. //Appl.Phus.Lett.,105,052103(2014).

Яковлева Н.И. Механизмы Оже-рекомбинации в узкозонных полупроводиноковых структурах HgCdTe. //Успехи прикладной физики, 2018, том 6, №2, с.130-139.

Alikulov M.N. The effect of recombination processes on the photosensitivity of semiconductor colar cells. Journal of Critical Reviews vol 7. 2020 pp. 66-69.

Аликулов М.Н. Зоналараро рекомбинация тезлигининг ярим ўтказгичлар зоналарининг тузилишига боғлиқлиги. “Инновацион технологиялар” журнали №3, Қарши 2020 йил, 36-39 бет.