logo
calendar9 Avgust 2022
view60
Основной язык:Узбекский

ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ P-CDTE-SIO 2 -SI-AL.

Область науки:
pdf

file.pdf

PDF

Научный вестник Ферганского государственного университета

Научный вестник Ферганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
В гетероструктуре P-CdTe-SiO 2 -Si-Al легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти - наличие асимметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации ‒ около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.

АВТОРЫ

Теги

# электропроводность# глубокий уровень# ток короткого замыкания# электрўтказувчанлик# фотосезгирлик# фоточувствительность# photosensitivity# deep level# фото-ЭДС# коронный разряд# short circuit current# қисқа туташув токи# потенциал тўсиқ# фото-ЭЮК# тож разряди# чуқур сатҳ# потенциальный барьер# potential barrier# the photo-emf# corona discharge# electric conductivity

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0106/A0822-0441

DOI:

Недоступно

Список литературы

1. Шейнкман М.К., Шик А.Я.//ФТП. - 1976. - № 10.

2. Отажонов С.М.//Физическая инженерия поверхности. - 2004. - Т. 2, № 1-2.

3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М.//Поверхность. АН России. - 1999. - № 3.

4. Абдуллаев Э., Вайткус Ю., Отажонов С. Запоминающее устройство. // Патент. I НДР РУз. № 9700869.1. от 15.03.99.