logo
calendar31 Avgust 2022
view37
Основной язык:Узбекский

ИЗМЕНЕНИЯ КВАЗИУРОВНЕЙ ФЕРМИ В КРЕМНИЕВЫХ P-N ПЕРЕХОДАХ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СВЕТА И ДЕФОРМАЦИИ И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ВОЛЬТ-АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ.

Область науки:
pdf

630f4cfb0f2b2.pdf

PDF

Научный вестник Наманганского государственного университета

Научный вестник Наманганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
Исследовоно изменения квазиуровеней Ферми электронов и дырок при освещение света и деформации. Рассмотрено связь между вольтамперной характеристикой p-n перехода и изменениями квазиуровней Ферми электронов и дқрок. Показано, что изменение квазиуровней Ферми освещением приводит к сильному перемещению вольтамперной характеристики p-n перехода по j-V плоскости.

АВТОРЫ

G.Gulyamov

Наманган муҳандислик-қурилиш институти

A.Gulyamov

Ўзбекистон Республикаси Фанлар Академияси Физика – техника институти

G.Majidova

Наманган муҳандислик-қурилиш институти

F.Muhiddinova

Наманган муҳандислик-қурилиш институти

B.Shahobiddinov

Наманган муҳандислик-қурилиш институти

Теги

# ЭЮК – электир юрутувчи куч# ВАХ - вольт – ампер характеристи# квазихимпотенциал# EMF-electric motor driving force# current-voltage characteristic -# quasi-potential# ЭДС-электир движующая сила# ВАХ - вольт – амперная характери

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A0822-0093

DOI:

Недоступно

Список литературы

Ҳелмут Спиелер “Introduction to radiation detectors and Electronis”, 30 – мар – 99. IX.2.a. A semiconductor device primer – doping and diodes.

S. Zi “Physics of Semiconductor Devices” volume - 1. Page (91 - 100).

V.L. Bonch-Bruevich, S. G. Kalashnikov “Physics of Semiconductors”, Nauka, Moscow, 1977