logo
calendar22 Yanvar 2023
view55
Основной язык:Русский

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА УРОВНИ ЛАНДАУ ЭЛЕКТРОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Область науки:
pdf

63ccd0b7a8632.pdf

PDF

Научный вестник Наманганского государственного университета

Научный вестник Наманганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
В этой статье впервые теоретически определена зависимость плотности энергетических состояний от температуры в квантующем магнитном поле. Проведено математическое моделирование процессов с использованием экспериментальных значений сплошного спектра плотности состояний, показана возможность расчета дискретных уровней Ландау

АВТОРЫ

U.Erkaboyev

Наманганский инженерно-технологический институт

R.Raximov

Наманганский инженерно-технологический институт

Теги

# полупроводник# semiconductor# Landau levels# запрещенная зона# band gap# уровней Ландау# квантующем магнитном поле# yarimo’tkazgich# Landau sathlari# kvantlovchi magnit maydoni# ta’qiqlangan zona# quantum magnetic fields

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A0123-0025

DOI:

Недоступно

Список литературы

Брандт Н.Б., Кульбачинский В.А. Квазичастицы в физике конденсированного состояния. – Москва, Физматлит. 2007. - 632 С

Баграев Н.Т., Брилинская Е.С., Кляшкин Л.Е., Маляренко А.М., Романов В.В. Эффекты Шубникова-де Гааза и де Гааза-ван Альфена в объемных кристаллах и низкоразмерных структурах // Научно-технические ведомости СПбГПУ. - Санкт-Петербург, 2011. -№ 4(134). - С. 7-11

Гулямов Г., Шарибаев Н. Определение дискретного спектра плотности поверхностных состояний МОП структур Al-SiO2-Si облученных нейтронами // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследование. -Москва, 2012. -№9, -С. 1-5

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник-диэлектрик в МДП структуре // Физика и техника полупроводников. – Санкт-Петербург, 2011.- Т.45, вып 2. - С.178-182

Шарибаев Н.Ю. Математическое моделирование определения плотности поверхностных состояний на границе раздела SiO2-Si в приборах с зарядовой связья: Дис. < канд. физ. - мат.наук. – Ташкент: АНРУз ФТИ, 2011. -119 с

Gulyamov G., Erkaboev U.I., Sharibaev N.Yu. Simulation of the temperature dependence of the density of states in a strong magnetic field // Joural of Modern Physics. - USA. 2014. –Vol. 5, No.8. –P.680-685