7 Dekabr 2019
32Основной язык:Русский
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКСПЛУАТАЦИОННЫХ СВОЙСТВ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОХЛАДИТЕЛЕЙ В ЭКСТРЕМАЛЬНЫХ РЕЖИМАХ
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
В работе приведены результаты теоретико-экспериментальных исследований термоэлектрических преобразователей на основе тройного соединения Bi2Te3 - Sb2Te3 (p-тип) и Bi2Te3 - Bi2Se3 (n-тип). Описаны процесс протекания нестационарного термоэлектрического охлаждения в объеме термоэлементов большой длины. Изложены параметры выбранных образцов и их температурные зависимости.
АВТОРЫ
A.Kasimakhunova
Fargona politexnika instituti
M.Nabiev
ФерГУ.
L.Mamadalieva
Fargona politexnika instituti
M.Latipova
Fargona politexnika instituti
T.Djabborov
Fargona politexnika instituti
Теги
# теплопроводность# thermal conductivity# термоэлементы# нестационарное охлаждение# добротность# термо Э.Д.С.# quality factor# thermocouples# non-stationary cooling# thermo emf
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Физика полупроводников и микроэлектроника