ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЕ И ШУНТИРУЮЩЕЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ CIGS СОЛНЕЧНОГО ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МОДУЛЯ В УСЛОВИЯХ РЕАЛЬНОГО СОЛНЕЧНОГО ОСВЕЩЕНИЯ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ

Проведены исследования нагрузочных вольтамперных характеристик солнечного фотоэлектрического модуля, на основе тонкопленочного поликристаллического полупроводникового бинарного соединения Cu(In,Ga)Se2, в условиях реального солнечного освещения (Рrad=780 ? 30 Вт/м2), в температурном интервале 25оС-50оС и определены величины последовательного и шунтирующего сопротивления. Установлено, что с увеличением температуры величины последовательного и шунтирующего сопротивления солнечного фотоэлектрического модуля уменьшается, что вероятнее всего связано с модуляцией сопротивления буферного фронтального слоя n-CdS.