7 Dekabr 2019
44Основной язык:Русский
КАСКОДНЫЙ ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТРАНЗИСТОР
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
В работе разработан каскодный инжекционно-вольтаический транзистор. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскодного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при 2-3 раза более высоких значениях обратного напряжения коллектор-база чем отдельно взятые транзисторы
АВТОРЫ
Z.Aripova
TATU
SH.Toshmatov
TATU
Теги
# каскодная схема# составной транзистор Дарлингтона# составной транзистор Шиклаи# инжекционно-вольтаический транзи# cascode# injection-voltaic transistor# composite transistor Darlington# composite transistor Sziklai# three-structural injection-volta
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Физика полупроводников и микроэлектроника