logo
calendar15 Dekabr 2019
view36
Основной язык:Русский

Теоретическое исследование и компьютерное моделирование составных транзисторов, изготовленных из полупроводникового материала с одинаковой шириной запрещенной зоны.

Область науки:
pdf

5df5f2fd3adff.pdf

PDF

Kimyoviy texnologiya. Nazorat va boshqaruv

Kimyoviy texnologiya. Nazorat va boshqaruv

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
Приведены результаты теоретического исследования и компьютерного моделирования составных транзисторов, изготовленных из полупроводникового материала с одинаковой шириной запрещенной зоны. Для исследования вольт – амперных характеристик таких составных транзисторов в среде программирования Dеlphi-6 разработана диалоговая компьютерная моделирующая программа. Показано, что предлагаемые транзисторы позволяют повысить технологичность при его промышленном изготовлении. Предложенные составные транзисторы предназначены для выходных каскадов усилителей мощности радиопередающих устройств.

АВТОРЫ

N.Alimova

TDTU

A.Yarmuxamedov

TDTU

Теги

# тақиқланган зона кенглиги бир хи# таркибий транзисторлар# вольт-ампер тавсифи# Dеlphi-6 дастурлаш муҳити# чиқиш каскадлари# қувват кучайтиргичлари# радио узатиш қурилмалари# радиотехник қурилмаларнинг функц# полупроводниковые материалы с од# составные транзисторы# вольт – амперная характеристика# среда программирования Dеlphi-6# выходные каскады# усилители мощности# радиопередающие устройства# функциональные узлы радиотехниче# semiconductor materials with the# composite transistors# volt-ampere characteristic# Delphi-6 programming environment# output stages# power amplifiers# radio transmitting devices# functional units of radio engine

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0008/A1219-0003

DOI:

Недоступно

Список литературы

1. Keith H. Sueker. Power Electronics Design: A Practitioner's Guide. Newnes .1.2 MB PDF. 2. Alimova N.B., Aripdjanov M.K., Aripova U.Kh., Atahanov Sh.T., Makhsudov J.T. Programms for semiconductor tehnological prosesses-instruments-circuite // World Conference on Intelligent Systems for Industrial Avtomation. - Tashkent, 2000. P. 232-235. 3. Alimova N.B., Aripov H.K., Faziljanov I.R., YArmuhamedov A.A. Programma rascheta VAH bipolyarnogo dreyfovogo tranzistora / Svidetel'stvo Respubliki Uzbekistan № DGU 02064 ot 29.09.2010. 4. Alimova N.B., Aripov H.K., Faziljanov I.R., YArmuhamedov A.A. Programma rascheta VAH gomosostavnogo tranzistora / Svidetel'stvo Respubliki Uzbekistan № DGU 02380 ot 15.12.2011.