26 Dekabr 2019
34Основной язык:Русский
РОЛЬ ТЕРМООБРАБОТКИ В ФОРМИРОВАНИИ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ КОБАЛЬТА
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
В работе исследовано влияние предварительной термообработки на поведение примесей 3d-элементов, специально вводимых для модификации свойств Si. Также обнаружено взаимодействие атомов 3d-элементов с технологическими примесями - кислородом и углеродом в Si, которые всегда присутствуют в кристаллической решетке в высоких концентрациях.
АВТОРЫ
SH.Utamuradova
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
K.Fayzullaev
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Теги
# диффузия# absorption# diffusion# дефектообразованиt# 3d-элементы# поглощение# высокотемпературная обработка# defect formation# 3d elements# high temperature treatment
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Физика полупроводников и микроэлектроника