26 Dekabr 2019
30Основной язык:Русский
ИССЛЕДОВАНИЕ ДИАПАЗОНА УСТОЙЧИВОЙ РАБОТЫ КАСКАДНОГО ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКОГО ТРАНЗИСТОРА В ОБЛАСТИ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЛАВИННОГО ПРОБОЯ
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
В работе выявлены механизмы стабилизации рабочих режимов каскадных инжекционно-вольтаических транзисторов. Приведены результаты исследования вольт-амперных характеристик каскадного инжекционно-вольтаического транзистора. Показано, что предложенный транзистор работает устойчиво при значениях обратного напряжения коллектор-база в 2-3 раза более высоких, чем отдельно взятые транзисторы
АВТОРЫ
Z.Aripova
TATU
SH.Toshmatov
TATU
V.Andreev
the Ioffe Physical-Technical Institute of the Russian Academy of Sciences
Теги
# каскодная схема# инжекционно-вольтаический транзи# cascode# injection-voltaic transistor
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Физика полупроводников и микроэлектроника