logo
calendar26 Dekabr 2019
view29
Основной язык:Русский

ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ОБЕДНЕННОЙ БАЗОВОЙ ОБЛАСТЬЮ

Область науки:
pdf

file.pdf

PDF

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
Представлены результаты исследования термочувствитель-ности кремниевых структур с обедненной базовой областью, в которой в качестве измерительного параметра используется напряжение полного обеднения базовой области. Показано, что при определенном запирающем рабочем напряжении (Uo) происходит полное обеднение базовой области исследуемой кремниевой структуры, и измерительный потенциал от нарастающего рабочего напряжения приобретает неизменное значение, которое меняется только при изменении температуры пропорционально ей. Определена термочувствительность структуры в широком температурном диапазоне от -180оС до 180оС, которая отличается высокой линейностью с чувствительностью +2.18 мВ/оС.

АВТОРЫ

D.Yodgorova

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

O.Abdulkhaev

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

A.Khakimov

НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ

R.Bebitov

НПО “Физика-Солнце” АН РУз

A.Rakhmatov

АО «FOTON»

Теги

# silicon# кремний# термочувствительность# термодатчик# обедненная базовая область# temperature sensitivity# temperature sensor# depleted base region

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

DOI:

Недоступно

Список литературы

Физика полупроводников и микроэлектроника