26 Dekabr 2019
34Основной язык:Русский
СОЗДАНИЕ ФОТОДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p –CdTe–ZnSeC ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
В данной статье рассматриваются спектры фототоков в слоистой пленочной гетероструктуре CdTe – ZnSe с глубокими примесными уровнями. Из экспериментальных результатов следует, что в гетероструктуре CdTe – ZnSe наблюдается новый эффект при измерении спектров фотопроводимости в зависимости от приложенного направления электрического поля. При этом приложенное поле стимулирует возникновение фото-ЭДС
АВТОРЫ
S.Otajonov
TATU
N.Juraev
TATU
M.Khalilov
TATU
Теги
# рекомбинация# generation# recombination# фотопроводимость# полупроводниковая пленка# генерация# фотонапряжение# photoconductivity# semiconductor film# photovoltage
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Физика полупроводников и микроэлектроника