26 Dekabr 2019
35Основной язык:Русский
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
Методами DLTS и ФЕ изучен энергетический спектр дефектов в кремнии, легированном атомами молибдена. Обнаружено, что диффузионное введение Mo в Si приводит к образованию трех глубоких уровней с энергиями ионизации Ес-0.20 эВ и Ес - 0.29 эВ и Еv+0.36 эВ. Показано, что термическая и оптическая энергии активации уровней в n-Si практически совпадают
АВТОРЫ
SH.Daliev
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
A.Paluanova
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
K.Fayzullaev
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
S.Kaypnazarov
НИИ физики полупроводников и микроэлектроники при НУУЗ
Теги
# диффузия# легирование# diffusion# impurity# silicon# alloying# кремний# примесь# тугоплавкий элемент# refractory element
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Физика полупроводников и микроэлектроника