26 Dekabr 2019
38Основной язык:Русский
ВЛИЯНИЕ МАТЕРИАЛА БУФЕРНОГО СЛОЯ НА СПЕКТР ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
Проведены исследования влияния буферного фронтального слоя на спектральную зависимость фоточувствительности гетероструктурных фотоприемников на основе поликристаллического полупроводникового бинарного соединения CdTe. Установлено, что в результате замены буферного слоя CdS на широкозонный полупроводниковый слой СdO, увеличивается спектральная фоточувствительность гетеропереходного фотоприемника на основе CdTe в коротковолновой части спектра электромагнитного излучения
АВТОРЫ
R.Kobulov
НПО “Физика-Солнце” АН РУз
Теги
# гетеропереход# поликристаллический полупроводни# буферный слой# фотоприемник# CdTe# CdS# CdO# photodetector# heterojunction# polycrystalline semiconductor# buffer layer
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Физика полупроводников и микроэлектроника