26 Dekabr 2019
34Основной язык:Русский
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
The study concerns resistance to gamma-radiation damage of the power Schottky diodes Cr-Si. These diodes demonstrate parameters stability in the wide range of irradiation doses. Also radiation-induced shift of the non-ideality factor n had been revealed
АВТОРЫ
M.Tagaev
Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус
B.Abdikamalov
Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус
V.Statov
Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус
S.Bekbergenov
Каракалпакский государственный университет им. Бердаха, г. Нукус
Теги
# надежность# silicon# reliability# кремний# барьер Шоттки# радиационные дефекты# Schottky barrier# gamma irradiation
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Физика полупроводников и микроэлектроника