Теоретическое исследование и компьютерное моделирование составных транзисторов, изготовленных из полупроводникового материала с разной шириной запрещенной зоны.

Войти как администратор (www.admin.slib.uz)

Система работает в тестовом (TEST) режиме! Для обращений обращайтесь @slib_support

Перейти на старую версию link

8 Yanvar 2020

Основной язык:Русский

Теоретическое исследование и компьютерное моделирование составных транзисторов, изготовленных из полупроводникового материала с разной шириной запрещенной зоны.

Область науки:

5e1561bd8b3c5.pdf

PDF

Kimyoviy texnologiya. Nazorat va boshqaruv

Опубликовать статью see more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

Приведены результаты исследования и компьютерного моделирования составных транзисторов, изготовленных из полупроводникового материала с разной шириной запрещенной зоны. Для исследования вольт - амперных характеристик составных транзисторов разработана диалоговая компьютерная моделирующая программа в среде программирования Dеlphi-6. Показано, что предлагаемые транзисторы позволяют повысить технологичность при его промышленном изготовлении. Предложенные транзисторы предназначены для выходных каскадов усилителей мощности, радиопередающих устройств, электронного оборудования промышленной и автомобильной электроники.

АВТОРЫ

N.Alimova

TDTU

A.Yarmuxammedov

TDTU

# таркибий транзисторлар# вольт-ампер тавсифи# Dеlphi-6 дастурлаш муҳити# қувват кучайтиргичлари# радио узатиш қурилмалари# радиотехник қурилмаларнинг функц# составные транзисторы# вольт – амперная характеристика# среда программирования Dеlphi-6# выходные каскады# усилители мощности# радиопередающие устройства# функциональные узлы радиотехниче# composite transistors# volt-ampere characteristic# Delphi-6 programming environment# output stages# power amplifiers# radio transmitting devices# functional units of radio engine# таъқиқланган зоналари кенглиги т# чиқиш босқичлари# полупроводниковые материалы с ра# semiconductor materials with dif

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Многоагентная система защиты информации от несанкционированного доступ.
Kimyoviy texnologiya. Nazorat va boshqaruv · 29 Fevral 2020
Товарные свойства известково-аммиачной селитры на основе плава нитрата аммония и известняка
Kimyoviy texnologiya. Nazorat va boshqaruv · 29 Fevral 2020
Исследование статики процесса нагревания углеводородного сырья в трубчатых аппаратах
Kimyoviy texnologiya. Nazorat va boshqaruv · 29 Fevral 2020
Об автоматизации процесса питания материалом технологических машин процессов первичной переработки хлопка-сырца.
Kimyoviy texnologiya. Nazorat va boshqaruv · 29 Fevral 2020
Анализ информационных характеристик объектов химической технологии
Kimyoviy texnologiya. Nazorat va boshqaruv · 29 Fevral 2020
Аутентификация лекарственных растений мультиспектральным анализом
Kimyoviy texnologiya. Nazorat va boshqaruv · 26 Fevral 2020

Оценить статью

оценок: 0

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0008/A0120-0107

DOI:

Недоступно

Список литературы

1. Keith H. Sueker. Power Electronics Design: A Practitioner's Guide. Newnes. 2. Alimova N.B., Aripdjanov M.K., Aripova U.Kh., Atahanov Sh.T., Makhsudov J.T. Programms for semiconductor tehnological prosesses-instruments-circuite // World Conference on Intelligent Systems for Industrial Avtomation. Tashkent – 2000, P. 232-235. 3. Alimova N.B., Aripov H.K., Faziljanov I.R., YArmuhamedov A.A. Programma rascheta VAH bipolyarnogo dreyfovogo tranzistora / Svidetel'stvo Respubliki Uzbekistan № DGU 02064 ot 29.09.2010. 4. Alimova N.B., Aripov H.K., Faziljanov I.R., YArmuhamedov A.A. Programma rascheta VAH geterosostavnogo tranzistora / Svidetel'stvo Respubliki Uzbekistan № DGU 01980 ot 01.07.2010.