logo
calendar30 Oktabr 2019
view61
Основной язык:Английский

RESEARCH OF PROCESSES OF IMPLANTATION OF IONS IN MONOCRYSTAL GaAs (001) ON PURPOSE INCREASE IN EFFICIENCY OF SOLAR ELEMENTS

Область науки:
pdf

20191030075849_aaaaa.pdf

PDF

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
С целью увеличении коэффициент полезного действия солнечных элементов было исследовано процесс ионной имплантации оказывающие влияние большого числа взаимосвязанных факторов, наиболее важными из которых является ориентация мишени, сорт, начальная энергия и угол падения первичных частиц.

АВТОРЫ

I.Khafizov

BuxMTI

K.Gafforov

BuxMTI

K.Hafizov

BuxMTI

Теги

# полуканал# p-n  ўтиш# ѐруғлик  исрофлари# қайтиш  коэффициенти# электрон-ковак# диффузия узунлиги# ионли имплантация# нишон йўналиши# киритиш коэффициенти# нимканал# фокусировка# p-n  переход# световые  потери# коэффициент  отражения# электрон-дырка# диффузионная  длина# ионная  имплантация# ориентация мишени# коэффициент внедрения# p-n  transition# light  losses# reflex  ion  coefficient# an  electron-  hole# diffusions  length# ionic  implantation# target  orientation# introduction  coefficient# the semi channel# focusing

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

DOI:

Недоступно

Список литературы

Chopra K. Thin-film solar elements / К. Chopra,; Moskva, 1986.

Resources and efficiency of use of renewed energy sources / P.P. Bezrukix. – Sankt-Peterburg: Nauka, 2002.

Physics of a firm body: the Manual / I.K. Vereofgin. / Moskva, 2001.

Bahadyrhanov M. S, Marovtsev A.S., Tachilins S.A., Research methods of solar elements, Toshkent, 2009.