10 Fevral 2020
24Основной язык:Русский
КРЕМНИЕВЫЙ СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ С МАЛЫМИ Р-N ПЕРЕХОДАМИ
Область науки:
file.pdf
АННОТАЦИЯ СТАТЬИ
A model of p-n transition of micron size grown on a solar cell (SС) substrate from low-cost stable technical (or metallurgical) silicon is proposed. These SС with p-n transitions of micron size are particularly effective in the process of mass production of solar electricity, when the SE is constantly in aggressive climatic conditions
АВТОРЫ
R.Muminov
НПО “Физика-Солнце” АН РУз
E.Imamov
Ташкентский университет информационных технологий
T.Djalalov
Ташкентский университет информационных технологий
K.Karimov
Ташкентский университет информационных технологий
Теги
# эффективность# efficiency# Defect-free area# technical silicon# p-n junction# illuminated surface# Бездефектная область# технический кремний# р-n переход# освещенная поверхность
ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА
- DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- THE POSITIVE FEEDBACK AMPLIFICATION MECHANISM OF THE INJECTION PHOTODIODE BASED ON LARGE-BLOCK CdTe FILMS
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
- STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION
Физика полупроводников и микроэлектроника · 28 Mart 2022
Оценить статью
0
5
4
3
2
1
Идентификаторы статьи
DOI:
Недоступно
Список литературы
Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника