logo
calendar13 Fevral 2020
view26
Основной язык:Русский

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА a-Si:H И ВЛИЯНИЕ ИХ НА ФОТОПРОВОДИМОСТЬ ФОТОЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ a-Si:H.

Область науки:
pdf

5e44de1bb9a19.pdf

PDF

Научный вестник Наманганского государственного университета

Научный вестник Наманганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
В данной работе были исследованы механизм переноса дырошного фототока и влияния на него ловушки, который находится в щели подвижности аморфного гидрированного кремния. Дырошный фототок были полушены в мишени видикона на основе H Si a :  . Кроме этого были физишески обоснована критерий фототока в импульсном режиме для полушения параметров дырошных ловушек, и их энергетишеский положения в щели подвижности. Из полушенных результатов можно определит типы рекомбиначия и с помощью этого можно определить коэффичиент захвата этих ловушек. Параметры этих уровней можно использовать при усовершенствования эффективности солнешных элементов на основе H Si a :  .

АВТОРЫ

S.Zaynobiddinov

ADU

U.Babakhodzhayev

Namdu

A.Nabiyev

Namdu

Теги

# Аморфный гидрированный кремний# мишен видикона# дырошные ловушки# инерчионность фототока# энергетишеское положения ловушек# щель подвижности# чентры прилипания# люкс-амперные характеристики.# Hydrogenated Amorphous Silicon# Target of Vidicon device# hole currency# the inertia of photocurrent# the energetic position of ca# mobility strip# mobility groove# the centre of handholds# the characteristic of Lux – Amp# гидридланган аморф кремний# видикон нишони# коваклар тутқиши# фототокни инерчиявийлиги# тутқишларни энергетик цолати# царакатшанлик тирқиши# жпишиш марказлари# люкс-ампер царактеристикаси..

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A0220-0035

DOI:

Недоступно

Список литературы

Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, V.’. Kostqlev, Ye.I. Terukov, A.S. Abramov, Ye.V. Malg’chukova, I.O. Sokolovskiy. FT’, 2015, t. 49, vq’. 5, s. 697-706.

Yu.V. Kryuchenko, A.V. Sachenko, A.V. Bobqlg’, V.’. Kostqlev, Ye.I. Terukov, A.S. Abramov, V.N. Verbitskiy, S.A. Kudryashov, K.V.Emtsev, I.O.Sokolovskiy. FT’, 2015,tom 49, vq’.5, s. 707-714.

V. ‘. Afanasg’ev, Ye. I. Terukov, A. A. SHerchenkov. Tonko’lenochnqe solnechnqe elementq na osnove kremniya. 2-e izd., C.-’eterburg: S’bGETU «LETI», 2011.

A.I. ‘o’ov. Amorfnqe ‘olu’rovodniki v mikro- i nanoelektronike. Jurnal «Vestnik RGRTU», № 4, 2009.

Raximov N., Babaxodjaev U.S., Mavlyanov X., Ikramov R. FT’, 2001, №8., s. 948-950.

O.A. Golikova, Letters in ZHTN 15, 85 (1989)

Y. Shimomoto et al. In: ‘roc. 13th CSSD (Tokyo, 1981), ‘.263.

A. Rose. Fundamentals of the theory of ‘hotoconductivity (Moscow, Science, 1966), ‘.190

S.M. Ryvkin. ‘hotoelectric ‘henomena in semiconductors (Moscow, Science, 1963), ‘.654.

T. Hamona et al. In: ‘roc. 13-th CSSD (Tokyo, 1981), ‘.245

Y. Hamakava. Amor’hous semiconductors and devices based on them (Moscow, Metallurgy, 1986), ‘.375

O.A.Golikova, U.S. Babakhodzhayev, M.M.Kazanin, M.M. Mezdrohina FT’ 25,2(1991).