logo
calendar4 Mart 2020
view49
Основной язык:Русский

КУЧЛИ ЛИГЕРЛАНГАН ЯРИМЎТКАЗГИЧЛАРДА ТАҚИҚЛАНГАН ЗОНА КЕНГЛИГИНИ ЎЗГАРИШИ

Область науки:
pdf

5e5f3896069d0.pdf

PDF

Научный вестник Наманганского государственного университета

Научный вестник Наманганского государственного университета

Опубликовать статьюsee more

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
Исследованы спектры ширина запрещенной зоны в сильно легированных полупроводниках. Предлагается модель, для описания запрещенной зоны полупроводника в зависимости от степени легирования и от температуры. С помощью модели исследуются изменения ширины запрещенной зоны.

АВТОРЫ

Теги

# модель# model# спектр# spectrum# температурная зависимость# тақиқланган зона# лигерланган яримўтказгич# ҳароратга боғлиқлик# кучли лигерланиш. .# запрещенная зона# легированный полупроводник# сильное легирование. .# forbidden zone# doped semiconductor# temperature dependence# strong doping. .

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

ROI:

https://eroi.uz/11.0031/A0320-0008

DOI:

Недоступно

Список литературы

Mott N., Devis E.. “Elektronnыe protsessы v nekristallicheskix veщestvax”, - M.Mir1982s

Bonch–Bruevich L., Zviyagin I.P., Kayper R., Mironov G., Enderlayn R., Esser B. Elektronnaya teoriya neuporyadochennыx poluprovodnikov. -Moskva.1981. Nauka. 384; C.

Bonch-Bruevich V.L., Kalashnikov; C. G. Fizika poluprovodnikov. - M.: Nauka, 1977.

[4] Gulyamov G., SHaribaev N.YU. Opredelenie PPS granitsы razdela, poluprovodnik–dielektrik, v MDP–strukture // FTP – Sankt Peterburg, 2011, - T.45. №2. -; C. 178-182.

Gulyamov G. G., SHaribaev N. YU., Opredelenie diskretnogo spektra PPS MOP Struktur Al–SiO2–Si, obluchennыx neytronami // Poverxnost. Rentgenovskie, sinxrotronnыe i neytronnыe issledovaniya, 2012, № 9, C. 13–17

Gulyamov G., Erkaboev U. I., Sharibaev N.Yu. The temperature dependence of the density of states in semiconductors // World Journal of Condensed Matter Physics. - Irvine CA, USA, 2013. - vol.3 №.4. -rr.216-220.

G.Gulyamov, N.YU. SHaribaev, Issledovaniya temperaturnoy zavisimosti SHZZ Si i Ge s pomoщyu modeli // Fizicheskaya injeneriya poverxnosti, 2013, t.11, № 2 c.231-237

Gulyamov G., SHaribaev N.YU., Vliyanie effektivnoy massы plotnosti sostoyaniy na temperaturnuyu zavisimost shirinы zapreщennoy zonы v tverdыx rastvorax p-Bi2- xSbxTe3-ySey // Fizicheskaya injeneriya poverxnosti, 2013, t.11, № 2 c.20-23

Bakhadyrkhanov M.K., Mavlyanov A.Sh., Sodikov U.Kh., Khakkulov M.K., Silicon with Binary Elementary Cells as a Novel Class of Materials for Future Photoenergetics, // Geliotekhnika, 2015, No. 4, pp. 28–32.

Gulyamov G., Karimov I.N., SHaribaev N.YU., Erkaboev U. Opredelenie PPS na granitsu razdela poluprovodnik dielektrik v strukturax Al-SiO2-Si i Al-SiO2-n-Si<Ni> pri nizkoy temperature // Uzbekskiy fizicheskiy jurnal. - Tashkent, 2010 -12(№3), -S.143- 146.