logo
calendar31 Oktabr 2019
view32
Основной язык:Английский

RESEARCH OF PROCESSES OF IMPLANTATION OF IONS IN MONOCRYSTAL GaAs (001) ON PURPOSE INCREASE IN EFFICIENCY OF SOLAR ELEMENTS

Область науки:
pdf

5dba9fa2b75b8.pdf

PDF

АННОТАЦИЯ СТАТЬИ

quote
С целью увеличении коэффициент полезного действия солнечных элементов было исследовано процесс ионной имплантации оказывающие влияние большого числа взаимосвязанных факторов, наиболее важными из которых является ориентация мишени, сорт, начальная энергия и угол падения первичных частиц

АВТОРЫ

I.Khafizov

Bukhara Engineering and Technological Institute

K.Gafforov

Bukhara Engineering and Technological Institute

K.Hafizov

Bukhara Engineering and Technological InstituteBukhara Engineering and Technological Institute

Теги

# полуканал# электрон-ковак# диффузия узунлиги# ионли имплантация# нишон йўналиши# киритиш коэффициенти# нимканал# электрон-дырка# ориентация мишени# коэффициент внедрения# the semi channel# p-n ўтиш# ѐруғлик исрофлари# қайтиш коэффициенти# p-n переход# световые потери# коэффициент отражения# диффузионная длина# ионная имплантация# p-n transition# light losses# reflex ion coefficient# an electronhole# diffusions length# ionic implantation# target orientation# introduction coefficient

ДРУГИЕ СТАТЬИ ЭТОГО ЖУРНАЛА

Оценить статью

0
оценок: 0
5
4
3
2
1

Идентификаторы статьи

DOI:

Недоступно

Список литературы

[1]. Chopra K. Thin-film solar elements / К. Chopra,; Moskva, 1986.

[2]. Resources and efficiency of use of renewed energy sources / P.P. Bezrukix. – Sankt-Peterburg: Nauka, 2002.

[3]. Physics of a firm body: the Manual / I.K. Vereofgin. / Moskva, 2001

[4]. Bahadyrhanov M. S, Marovtsev A.S., Tachilins S.A., Research methods of solar elements, Toshkent, 2009.