315

В условиях «тепловой бани» обнаружено протекание тока и появление термоэдс на однородно нагреваемых р-n структурах, содержащих на поверхности Si-Ge пленки сильно легированные титаном. Результаты обсуждены с позиций проявления тепловольтаического эффекта, то есть генерации носителей заряда за счёт поглощения субзонных фотонов с участием глубоких энергетических уровней, обусловленных, как дефектами Si-Ge плёнок, так и примесью титана

  • Название журнала
  • Номер выпуска
  • Количество просмотров 315
  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 21-08-2020
  • Количество прочтений 207
  • Дата публикации
  • Язык статьиRus
  • Страницы80-85
Русский

В условиях «тепловой бани» обнаружено протекание тока и появление термоэдс на однородно нагреваемых р-n структурах, содержащих на поверхности Si-Ge пленки сильно легированные титаном. Результаты обсуждены с позиций проявления тепловольтаического эффекта, то есть генерации носителей заряда за счёт поглощения субзонных фотонов с участием глубоких энергетических уровней, обусловленных, как дефектами Si-Ge плёнок, так и примесью титана

English

The current flow and the appearance of thermoelectric power on uniformly heated p-n structures containing films heavily doped with titanium on the SiGe surface were detected under the conditions of a “thermal bath”. The results are discussed from the standpoint of the manifestation of the thermovoltaic effect, that is, the generation of charge carriers due to the absorption of subband photons with the participation of deep energy levels due to both defects in Si-Ge films and an admixture of titanium

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Ashurov X.B.
2 Kuchkanov S.K.
3 Abdurahmanov B.M.
№ Название ссылки
1 Saidov. M.S., Abdurakhmanov. B.M., Olimov, L.O. Impurity thermovoltaic effect in the grain boundaries of a polycrystalline silicon solar cell. Appl. Sol. Energy 43, 203–206 (2007). https://doi.org/10.3103/S0003701X07040019
2 Saidov, A.S., Abakumov, A.A., Saidov, M.S. et al. Thermovoltaic properties of technical silicon melted by solar radiation. Appl. Sol. Energy 43, 266–267 (2007). https://doi.org/10.3103/S0003701X07040184
3 Saidov, M.S. Impurity thermovoltaic effect of semiconductor structures: Specific features and outlook. Appl. Sol. Energy 43, 199–202 (2007). https://doi.org/10.3103/S0003701X07040020
4 Lyutovich.K.L., Abdurakhmanov. J.T., Lukashevich.L.L., Drachuk I.V. Uzbekskiy fizicheckiy jurnal. №2, 31 (1997).
5 Vavilov B.S., Кiselev В.F., Mukashev B.N. Defekti v kremnii I na ego poverhnosti (Мoskva: “ Nauka”. Fizmatlit. 1990).
В ожидании