168

 

Обсуждается зависимости времени жизни носителей заряда () в
монокристаллического кремния от концентрации легуришего примеся меди и
последиффузионного охлаждении. Полученные результаты обяъсняются
перераспределением неосновных носителей на уровне прилипания. В компенсированном p-
Si<B,P> и контрольном p-Si<B> релаксационный процесс происходит различным образом:
98 с для р-Si<B,P>, и   5 с для р-Si<B>. При этом с ростом исходной концентрации
носителей заряда (в данном случае бора-В) в компенсированном кремнии наблюдается
возрастание (при равных значениях ), которое обусловлено различной степенью
микронеоднородности по проводимости в исследованных образцах.
 

  • Ссылка в интернете
  • DOI
  • Дата создание в систему UzSCI 04-11-2021
  • Количество прочтений 168
  • Дата публикации 15-01-2020
  • Язык статьиRus
  • Страницы40-46
Русский

 

Обсуждается зависимости времени жизни носителей заряда () в
монокристаллического кремния от концентрации легуришего примеся меди и
последиффузионного охлаждении. Полученные результаты обяъсняются
перераспределением неосновных носителей на уровне прилипания. В компенсированном p-
Si<B,P> и контрольном p-Si<B> релаксационный процесс происходит различным образом:
98 с для р-Si<B,P>, и   5 с для р-Si<B>. При этом с ростом исходной концентрации
носителей заряда (в данном случае бора-В) в компенсированном кремнии наблюдается
возрастание (при равных значениях ), которое обусловлено различной степенью
микронеоднородности по проводимости в исследованных образцах.
 

English

 

The dependence of the lifetime of charge carriers ()in monocrystalline silicon
on the concentration of light copper and post-diffusion cooling is discussed. The results obtained are
explained by the redistribution of non-basic carriers at the adhesion level. In the compensated pSi<B,P> and the control p-Si<B>, the relaxation process occurs in different wasy   98s for pSi<B,P>, and  5s for p-Si<B,>.At the same time ,with the growth of te initial concentration of
charge carriers (in this case boron-B ) in the compensated silicon, an increase (with equal values )
is observed, which is due to a different degree of micro –uniformity in conductivity in the studied
samples.
 

Ўзбек

 

Ушбу ишда монокристалл кремнийда заряд ташувчиларнинг яшаш
вақтини легирловчи мис киришмаларининг концентрациясига ва диффузиядан кейинги
совитишга боғлиқлиги ўрганилган. Олинган натижалар асосий бўлмаган заряд
ташувчиларнинг ёпишиш сатхида қайта тақсимланиши билан тушунтирилган.
Компенсирланган p-Si<B,P> ва назорат p-Si<B> намуналарида релаксация жараёни турли
хил бўлади: p-Si<B,P> учун  98 ва p-Si<B>учун  5. Тадқиқ қилинган намуналарда
ўтказувчанлик бўйича турли даражадаги микрохархиллик туфайли заряд
ташувчиларнинг бошланғич концентрацияси ортиши билан (бу холда бор-В)
компенсирланган кремнийда яшаш вақти ҳам ортиши аниқланган.
 

№ Имя автора Должность Наименование организации
1 Mirzaraimov J.Z. O'qituvchi , Namangan Engineering and Technology Institute
№ Название ссылки
1 Е. А. Татохин, А. В. Буданов, И. Ю. Бутусов, Л. В. Васильева, Е.А. Тутов. Вестник ВГУ, серия: Физика. математика, 2008, № 2. С. 60-70.
2 В.И.Фистуль. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1984. C. 352.
3 Юнусов М.С., Каримов М., Джалелов М.А. ФТП. Санкт–Петербург, 2001. Т- 35. №3. С. 317-320.
4 Влияние примеси меди на электрофизические и рекомбинационные свойства кремния при термо- и радиационном воздействии: диссертасия ... кандидата физико - математических наук: 01.04.07 / Махмудов Шерзод Ахмадович; [Место защиты: ИЯФ АН РУз ].- Ташкент, 2012. - 126 с.
5 А.Милнс. Примеси сглубокими уровнями в полупроводниках /Под ред. док. физ .- мат. наука М.К.Шейнкман. Мир, М.(1977) 502 с.
6 Каримов М., Махкамов Ш., Турсунов Н.А., Махмудов Ш.А., Бегматов К.А., Караходжаев А.К., Садиков А.Х. Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора // Известия вузов. Физика. 2009 г., № 5. С. 9-12.
7 М.Ю. Ташметов, Ш.А. Махмудов, А.А. Сулаймонов, А.К. Рафиков, Б.Ж. Абдурайимов. Фотодатчики на основе нейтронного легированного кремния. Гелиотехника, 2018. Вып. 6. С. 61-64.
8 Кожемяко А.В., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В., Шемухин А.А. Физика и техника полупроводников. 2019, выпуск 6, С. 810.
9 М.Каримов, А.К.Караходжаев. Известия вузов. Физика, 7, 54 (2001).
10 А.А. Istratov , E.R. Weber. Арр1. Phys. А 66, 123 (1998).
11 Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Гусев А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Процессы спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии с различным изотопным составом.Журнал. Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2010. №5 (2), С. 335-338
12 Джуплин В.Н. Дефектообразование в кремнии под пленками никеля при термообработке. Журнал «Известия ЮФУ. Технические науки» 2000 г.№5, С. 16-21.
13 С.З.Зайнабидинов, Х.С.Далиев. Дефектообразование в кремнии. Университет, Ташкент (1993) 190 с.
14 С.Зайнабидинов. Физические основы образования глубоких уровней в кремнии. Фан,Ташкент (1984) 168 с.
15 D.V. Lang . J. Appl. Phys. 45, 3023 (1974)
В ожидании